SrTiO_3(110)バイクリスタル基板を用いたBa_<1-x>K_xBiO_3粒界接合
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概要
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酸化物超伝導体の電子デバイスへの応用のための研究が、各研究機関で多くの研究者により精力的に行われている。超伝導体-絶縁体-超伝導体(SIS)接合は論理素子、マイクロ波素子等への応用が期待されるデバイスである。等方的電気伝導を示し、超伝導転移温度T_cが約30Kの酸化物超伝導体Ba_1-x>K_xBiO_3(BKBO)を用いて、SIS接合の作製を試みた。SrTiO_3(STO)バイクリスタル基板の上にBKBO薄膜を成膜することにより、平面型の粒界接合を作製し、その特性を測定した。ジョセフソン電流とエネルギーギャップの両方が明確に見られるSIS接合の電流-電圧特性を示した。4.2Kで、接合の臨界電流密度は550A, cm^2、I_cR_n積は2.2mVである。基板に垂直に印加した磁場により臨界電流は変調され、明確なフラウンホーファーパターンを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-04-20
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
-
井上 真澄
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大学
-
井上 真澄
名大院工:jst-crest
-
今枝 滋洋
名古屋大学工学部電子工学科
-
早川 尚夫
名古屋大
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