YBCO/LaGaO_3/Metal/Nb接合の作製とその特性評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々はSIS接合の絶縁層の材料としてLaGaO_3(LGO)を選択し、その特性評価を行った。スパッタリング法によるLGO薄膜はc軸配向YBa_2Cu_3Oy(YBCO)上にエピタキシャル成長し、しかもYBCOと同条件下で良質な薄膜が得られることがわかった。またc軸配向YBCO,LGO/Au/Nb接合を作製し、その電気的特性を調べたところ、LGOの膜厚が20Å以上であればYBCOの表面を完全に被覆できることが明らかとなった。さらに、トンネル特性からc軸配向YBCO薄膜はLGOとの界面で超伝導性を失っていることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-04-22
著者
-
高井 吉明
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
寺井 弘高
NICT
-
早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
-
早川 尚夫
名古屋大学
-
高井 吉明
名古屋大学工学部電子工学科
-
佐藤 嘉洋
名古屋大学工学部
-
寺井 弘高
名古屋大学工学部
-
早川 尚夫
名古屋大
-
高井 吉明
名古屋大学大学院 工学研究科 エネルギー理工学専攻
関連論文
- 招待講演 JST and MEXT SFQ device projects: for new innovation of SFQ electronics (超伝導エレクトロニクス)
- パイプライン化したビットシリアル単一磁束量子マイクロプロセッサの開発(ディジタル・一般)
- 単一磁束量子を用いた情報処理回路
- Nbアドバンストプロセスを用いた単一磁束量子浮動小数点演算器の設計(ディジタル,一般)
- BaZrO_3ナノロッドを導入したSmBa_2Cu_3O_y薄膜における磁束ピンニング特性と微細構造観察
- SFQ半精度浮動小数点乗算器の設計と試作(デジタル,一般)
- QOSにおけるグレーゾーンの解析(ディジタル,一般)
- SFQ半精度浮動小数点加算器の設計と試作(デジタル,一般)
- C-8-10 SFQ浮動小数点乗算器の同期化および動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-9 アドバンスドプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点加算器の高速化に関する検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- CT-1-9 超伝導単一磁束量子回路(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- Nb/AlO_x/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化に向けた研究(エレクトロニクス)
- バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討 (超伝導エレクトロニクス)
- プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製(接合及び材料,一般)
- C-8-13 Nb多層プロセスを用いて試作したシフトレジスタの測定評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-7 超伝導SFQ回路のための新Nb多層プロセス(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- IBAD-MgO上に製膜したREBCO線材のc軸相関ピン
- IBAD-MgO上に製膜したYBCO線材の微細構造と磁束ピンニング特性
- REBa_2Cu_3O_系線材にむけた酸化物中間層の検討
- Nb多層デバイス構造用セルライブラリに向けた最適なモート構造の検討(単一磁束量子大規模集積回路技術の現状と将来展望、デジタル応用及び一般)
- 小型中性子回折装置に向けたSFQ回路開発(ディジタル,一般)
- アモルファス半導体障壁層を用いたMgB_2ジョセフソン接合の評価(接合及び材料,一般)
- 高臨界電流密度を有するSm_Ba_Cu_3O_y厚膜におけるα軸配向相生成メカニズム
- 集中定数型超電導チューナブルフィルタのためのC素子の検討
- C-8-16 集中定数型超伝導メカニカルチューナブルフィルタの検討
- フローティングプレート材質が超電導メカニカルフィルタのチューニング特性に及ぼす効果
- 超伝導マイクロ波フィルタの共振周波数のメカニカルチューニング
- C-8-5 単一磁束量子 2×2 Cross/Bar スイッチの 57GHz 動作
- C-8-4 SFQ論理回路におけるデジタルシミュレーションの計算精度の評価
- C-8-14 タイムシフトスピードアップバッファ用シフトレジスタの設計の試作
- C-8-4 SFQネットワークスイッチ要素回路の55GHz動作実証
- 超電導技術は進歩している
- 単一磁束量子回路による超高速信号処理(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 単一磁束量子を用いた情報処理回路
- C-8-6 10kA/cm^2Nbプロセス用単一磁束量子セルライブラリの構築(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-7 単一磁束量子回路を用いた2並列3段の再構成可能なデータパスの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- CT-1-3 SFQによる量子ビットの制御と観測(CT-1.超伝導量子コンピュータ研究の最前線,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-8-8 アドバンストプロセス2における4x4SFQスイッチ回路の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-9 A^*アルゴリズムに基づく単一磁束量子回路受動線路配線ツールの実装と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-10 2並列4段の再構成可能なデータパスを有する単一磁束量子回路の検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-11 SFQ半精度浮動小数点演算器の回路面積の削減に関する検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-12 SFQ半精度浮動小数点乗算器の試作と動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 超伝導回路による超高速・低消費電力マイクロプロセッサの開発
- C-8-21 単一磁束量子回路における2並列2段の再構成可能なデータパスの動作実証(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-18 SFQ半精度浮動小数点乗算器の設計と試作(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-16 アドバンストプロセス2.1を用いた2並列2段のSFQ-RDPの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-15 10kA/cm^2Nbアドバンスドプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点乗算器の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-5 10kA/cm^2Nbプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点加算器のコンポーネント回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-10 Nb8層プロセスを用いた受動線路の設計と回路応用(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-8 プラズマ窒化AIN障壁層を持つNbN接合の障壁層形成法による特性比較(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-4 アドバンストプロセス2を用いた単一磁束量子回路によるALUの設計と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-3 アドバンストプロセス2におけるバイアス電流供給法が回路動作に与える影響(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-9 4x4単一磁束量子クロスバスイッチの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-8 単一磁束量子タイムシフト入力型2x2スイッチの設計と動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- 単一磁束量子論理回路スイッチICの性能評価(デバイス・一般)
- C-8-10 単一磁束量子スローダウンバッファの設計
- C-8-11 パイプライン導入による単一磁束量子浮動小数点加算器の性能向上(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-15 トルネードアーキテクチャに基づく単一磁束量子マイクロプロセッサのALUの改善(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-12 トルネードアーキテクチャにおけるSFQマイクロプロセッサのデータパスの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-10 トルネードアーキテクチャにおけるSFQマイクロプロセッサのデータパスの設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-11 単一磁束量子回路を用いた状態遷移に基づくシリアルアダーの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-6 単一磁束量子回路を用いた状態遷移に基づく演算方式の検討(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- C-8-5 SFQマイクロプロセッサに向けたレジスタファイルの実証(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- 単一磁束量子回路によるマイクロプロセッサの設計と動作実証(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- SC-8-11 単一磁束量子マイクロプロセッサの開発(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
- C-8-12 SFQマイクロプロセッサに向けたトルネードアーキテクチャの提案(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-15 パイプライン化した単一磁束量子ビットシリアルマイクロプロセッサCORE1βの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-13 単一磁束量子シフトレジスタ型キャッシュメモリの改良(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-1 単一磁束量子回路におけるモート形状の検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- 有機金属化学蒸着(MOCVD)法により作製したCu組成の異なるYBa_2Cu_3O_薄膜の電気特性
- VLS成長を用いたYBCO膜の作製とその配向性
- 積層ジョセフソン接合の磁場依存性と同時スイッチ
- GdBa_2Cu_3O_x/Gd_2CuO_4/GdBa_2Cu_3O_x積層膜の作製
- YBCO/LaGaO_3/Metal/Nb接合の作製とその特性評価
- 平成20年度リフレッシュ理科出張教室(東海支部戸倉会場)開催報告
- 平成19年度出張リフレッシュ理科教室(東海支部豊根・富山会場)開催報告
- 「応用物理」創刊75周年記念リフレッシュ理科教室開催報告
- 我が国の科学教育に対する応用物理学会の貢献
- リフレッシュ理科教室の現状と課題 : 10年間を振り返って
- 平成18年度出張リフレッシュ理科教室(東海支部千頭会場)開催報告
- 平成17年度出張リフレッシュ理科教室(東海支部丹波山・小菅会場)開催報告
- 平成17年度リフレッシュ理科教室(東海支部4会場)開催報告
- 平成17年度世界物理年記念リフレッシュ理科教室東海支部名古屋会場開催報告
- 平成16年度リフレッシュ理科教室(東海支部5会場)開催報告
- LTG法を用いて作製したSm_Ba_Cu_3O_y薄膜の配向性と成長様式
- SmBa_2Cu_3O_y薄膜におけるBaZrO_3ナノロッドの成長機構に関する考察
- Vapor-Liquid-Solid 成長を用いて作製した人工ピン導入REBa_2Cu_3O_膜の微細組織
- REBa_2Cu_3O_y超伝導薄膜の成長制御によるナノ組織と超伝導特性
- ナノサイズ低T_c相導入Sm_Ba_Cu_3O_y薄膜の低温高磁場超伝導特性
- 逆空間マッピングを用いた低温成膜法SmBa_2Cu_3O_y薄膜の膜厚に対する結晶構造の評価
- RFマグネトロンスパッタ法により作製したZn_Al_O薄膜の熱電特性
- 各種基板上にパルスレーザー蒸着法を用いて作製した[Ca_2CoO3_]_xCoO_2薄膜の熱電特性と微細組織
- Sm/Ba組成比がSm_Ba_Cu_3O_y薄膜の磁場中J_c特性に及ぼす影響
- 磁場中高J_c線材を目指したREBa_2Cu_3O_y薄膜の作製
- 高J_c Sm_Ba_Cu_3O_膜の表面形状
- 低温成膜法で作製したYBa_2Cu_3O_y薄膜の磁場中超伝導特性
- LTG-NdBCO薄膜のJ_c特性に及ぼすシード層の平坦性の影響
- レーザ蒸着法で作製したRE_Ba_Cu_3O_膜の高磁場中高J_c特性
- Pulsed Laser Deposition 法で作成したREBa_2Cu_3O_y薄膜の配向性と超伝導特性 (RE=Nd, Sm, Gd, Y and Yb)
- 高J_c化Sm_Ba_Cu_3O_膜の膜厚依存性及び磁場中特性