Nb/AlO_x/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化に向けた研究(エレクトロニクス)
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概要
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我々はNb/AlO_x/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化を目標として、接合作製プロセスについての研究を行っている。高臨界電流密度化のためには、障壁層を薄くして、接合サイズを微小化することが要求される。最初に、微小接合を作るために必要な接合上部電極のエッチング条件について検討した。上部電極エッチング時の基板温度とエッジプロファイル、エッチング残渣とは密接な関係があり、基板温度を変化させることによりこれらを制御することができた。その結果、接合特性も向上した。さらに、下部電極の平坦性が接合特性に与える影響を評価した。Nb膜表面の平坦性は成膜時のアルゴンガス圧に大きく依存し、平坦性を改善することにより接合特性の向上が見られた。これらにより、J_c=13.7kA/cm^2、V_m=16.5mVの接合を作製することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-07
著者
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