表面改質型積層ジョセフソン接合の障壁層の解析(デバイス・一般)
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概要
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積層型表面改質ジョセフソン接合の障壁層の構造と組成をTEMおよびTEM-EDSを用いて調査、電気的特性と併せて考察した。表面改質型接合では、人工的に障壁層を堆積する代わりにArイオン衝撃とアニールにより接合を作成する。Arイオン加速電圧1300Vで表面改質した試料はY_2O_3相が明瞭に観察された。対照的に加速電庄700Vで作成した試料にはY_2O_3相はほとんど観察されなかった。加速電圧が減少することは接合の臨界電流が上昇することに対応する。したがって、このTEMの観察結果は臨界電流密度が上昇すると障壁相が薄く均一になることを示唆する。また、組成比に関しても、加速電圧が減少すると障壁層のYの比率が減少した。この傾向はランプエッジ型接合で報告されているのと同様の傾向である。積層型接合では、ランプエッジ型接合と異なり、すべてin-situプロセスにより接合を作成することが可能なので、ランプエッジ型接合と同等、もしくはそれ以上の接合特性の均一性が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-16
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
-
井上 真澄
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大学
-
井上 真澄
名大院工:jst-crest
-
吉永 康之
名古屋大学工学研究科
-
脇田 和弥
名古屋大学工学研究科
-
谷池 浩一郎
名古屋大学工学研究科
-
木村 大志
名古屋大学工学研究科
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
早川 尚夫
名古屋大
-
早川 尚夫
名古屋大学工学部
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