非対称ナノブリッジにおけるボルテクスのラチェット的挙動(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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非対称電流-電圧特性が期待される非対称形状YBa_2Cu_3O_<7-x>(YBCO)ナノブリッジを作製し,単一磁束回路用整流回路などへの応用を目指してその特性を検討した。作製したブリッジの電流-電圧特性は磁場印加により変化し,非対称特性を示すことが確認された。2.4mTの磁場印加により,10%程度の臨界電流変化率が観測された。-2.5mTから2.5mTまで磁場を変化させることにより正方向の臨界電流が減少し,負方向の臨界電流は増加した。これらは非対称形状を反映したボルテックスのラチェット的挙動を考えることで理解できた。臨界電流付近でのダイナミック抵抗も印加磁場の大きさにより変化し,ボルテックス挙動の磁場による変化が示唆された。
- 2010-10-12
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
井上 真澄
名古屋大学
-
藤巻 朗
名古屋大学量子工学専攻
-
井上 真澄
名大院工:jst-crest
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
藤田 圭佑
名古屋大学
-
梶野 顕明
名古屋大学
-
早川 桂太
名古屋大学
-
安 保宇
名古屋大学
-
安 保宇
名古屋大学大学院工学研究科
-
梶野 顕明
名古屋大学大学院工学研究科
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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