アモルファス半導体障壁層を用いたMgB_2ジョセフソン接合の評価(接合及び材料,一般)
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概要
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アモルファス半導体障壁層を用いたMgB_2ジョセフソン接合の作製及び評価を行った。障壁層としてアモルファスボロンおよびアモルファスシリコンを用いた。それぞれの三層膜はサファイア-c面上に共蒸着法を用いて成膜した。両接合において、ジョセフソン電流及び準粒子特性を観測した。ボロン障壁を用いた接合では、臨界電流密度J_cは最大で450A/cm^2に達した。比較的特性が均質な障壁層10nmの接合では、J_c及びI_cR_n積は15A/cm^2及び0.13mVであった。一方、シリコン障壁を用いた接合では、障壁層厚さ5nmに対し、J_c及びI_cR_n積は0.9A/cm^2、0.08mVであった。また、ボロン障壁接合に比べて、より顕著な準粒子特性が観測された。
- 2009-07-14
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
石井 林太郎
東京農工大学
-
内藤 方夫
東京農工大学
-
御田村 直樹
名古屋大学
-
丸山 千風
名古屋大学
-
新原 佳紘
東京農工大学
-
内藤 方夫
東京農工大
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
藤巻 朗
名古屋大学量子工学専攻
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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