NbN及びMgB_2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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本研究ではNbN及びMgB_2グラウンドプレーンに形成したモードによる磁束トラップへの影響を調査した.その影響はNb、NbN及びMgB_2グランドプレーン上に作製された直列1000個のジョセフソン接合への磁束トラップを調べる事により評価された.この評価によるとNbNグランドプレーン上の接合は-1.8μTから1.4μTの垂直な印加磁場の領域で磁束トラップは観測されなかった.その範囲はNbグランドプレーンにくらべ約2倍となったことから、NbNグランドプレーン上に形成されたモートによる磁場排除効果は、Nbに比べ高いことが示された。また5μTから20μTにおいてのトラップ率の調査からMgB_2グランドプレーンもNbに比べ高い磁場排除効果があることを確認した。
- 2010-10-12
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
内藤 直生人
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
内藤 方夫
東京農工大学
-
御田村 直樹
名古屋大学
-
新原 佳紘
東京農工大学
-
内藤 直生人
名古屋大学
-
内藤 方夫
東京農工大
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
藤巻 朗
名古屋大学量子工学専攻
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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