内藤 直生人 | 名古屋大学

スポンサーリンク

概要

• 内藤 直生人の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 名古屋大学の論文著者

関連著者

• 内藤 直生人

  名古屋大学

• 藤巻 朗

  名古屋大学

• 赤池 宏之

  名古屋大学大学院工学研究科

• 内藤 直生人

  名古屋大学大学院量子工学専攻

• 赤池 宏之

  名古屋大学

• 藤巻 朗

  名古屋大学量子工学専攻

• 藤 巻朗

  名古屋大学 工学部

• 藤巻 朗

  名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻

• 長井 友樹

  名古屋大学大学院量子工学専攻

• 丸山 千風

  名古屋大学

• 長井 友樹

  名古屋大学

• 船井 辰則

  名古屋大学大学院量子工学専攻

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 誠

  昭和大学藤が丘病院呼吸器外科

• 野中 倫明

  東京都立大塚病院 外科

• 内藤 方夫

  東京農工大学

• 御田村 直樹

  名古屋大学

• 新原 佳紘

  東京農工大学

• 内藤 方夫

  東京農工大

• 藤巻 朗

  名古屋大 大学院

• 舩井 辰則

  名古屋大学大学院量子工学専攻

• 藤巻 朗

  名古屋大学:戦略的創造研究推進事業

もっと見る 閉じる

著作論文

• プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製(接合及び材料,一般)
• NbN及びMgB2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響 (超伝導エレクトロニクス)
• プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性 (超伝導エレクトロニクス)
• C-8-8 プラズマ窒化AIN障壁層を持つNbN接合の障壁層形成法による特性比較(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
• プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• NbN及びMgB_2を用いたグラウンドプレーンによる磁束トラップへの影響(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
• プラズマ窒化AlNx障壁層を特つNbNトンネル接合の電気的特性改善(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)

スポンサーリンク