プラズマ窒化AlNx障壁層を特つNbNトンネル接合の電気的特性改善(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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本誌では、プラズマ窒化AlNx障壁層を特つNbNトンネル接合における接合作製プロセス及び電気的特性改善について述べる。このNbNトンネル接合を高周波電磁波検出器に応用するためには、臨界電流密度J_c及びギャップ電圧V_gの向上が必要である。そこで本研究では、接合特性改善のため、NbNトンネル接合の上部電極堆積条件及び障壁層形成条件の検討を行った。その結果、接合上部NbN層の堆積条件の調整及び基板温度を上昇させることにより、V_gが0.6mV向上し5.0mVの接合が得られた。また、Alのプラズマ窒化時のRF電力密度を変化させることより、J_cが最大で10.2kA/cm^2の接合が得られた。
- 2011-10-05
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
内藤 直生人
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
内藤 直生人
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
藤巻 朗
名古屋大学量子工学専攻
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
船井 辰則
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
藤巻 朗
名古屋大 大学院
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
舩井 辰則
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
藤巻 朗
名古屋大学:戦略的創造研究推進事業
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