積層ジョセフソン接合の磁場依存性と同時スイッチ
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概要
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縦にジョセフソン接合を積層させた2重接合を中間層Nb電極の膜厚を4,8,14,20,40nmと変えて作製し上下の2つの接合間の同時スイッチについて調べた。そして、単独接合の直列に観測される通常の同時スイッチとは必ずしも同じでない同時スイッチが中間層が4nm,8nmと薄い場合のみに観測された。どのような条件が満たされるときこの同時スイッチが観測されるのかを臨界電流の磁場依存性によって調べた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-08
著者
-
高井 吉明
名古屋大学大学院工学研究科電子情報システム専攻
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
-
早川 尚夫
名古屋大学
-
高井 吉明
名古屋大学工学部電子工学科
-
山森 弘毅
名古屋大学工学部電子工学科
-
早川 尚夫
名古屋大
-
高井 吉明
名古屋大学大学院 工学研究科 エネルギー理工学専攻
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