窒化ニオブ電極を用いたオーバーダンプ型ジョセフソン接合の開発(デジタル,一般)
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概要
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本論文では、将来の単一磁束量子(SFQ)回路用接合技術として現在検討を進めている窒化ニオブ(NbN)を用いた4K動作セルフシャント型オーバーダンプ接合開発の現状について、将来展望とともに述べる。NbN接合はNbより大きなエネルギーギャップを持つため高いIcRn積が期待され、SFQ回路の高速化・受動配線線幅縮小による配線密度の向上につながる。さらに、セルフシャント型接合が実現すると、SFQ回路の高集積化が可能となる。本研究では、接合構造として超伝導体(S)-常伝導体(N)-絶縁体(I)-常伝導体(N)-超伝導体(S)接合を採用することによりセルフシャント型接合の実現を目指し、I層として窒化アルミニウム(AlN)、N層としてNbNxを用いることにした。ここでは、本接合の実現に向けてこれまでに得られた成果について述べる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-01-18
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
長井 友樹
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
金田 亮平
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
長井 友樹
名古屋大学
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