超伝導Flux Flow Transistorの動作特性に及ぼす表面ポテンシャルの影響 : 数値解析によるFFTの電圧電流特性に見られる非線形性の考察
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
超伝導フラックスフロートランジスタに関する報告には、その電流電圧特性の零電圧からの立ち上がり部分で非線形性を確認できるものが多い。良質な薄膜を用いたサンプルでこうした現象が観察できるのは興味深い。この結果は、膜内でのピニングが無い場合でも、磁束の動きを妨げるメカニズムが働いている可能性があることを示唆している。混合状態部に侵入する磁束量子に対する表面ポテンシャルに注目し、超伝導細線に関する臨界電流密度の測定結果の数値解析をおこなった結果、良質な薄膜を用いたサンプルでは、表面ポテンシャルによるフラックスクリープが電流電圧特性に見られる非線形性に関与していることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-07-20
著者
-
安藤 浩哉
豊田工業高等専門学校
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
-
楠 正暢
名古屋大学 工学部
-
早川 尚夫
名古屋大学
-
藤巻 朗
名古屋大学量子工学専攻
-
安藤 浩哉
名古屋大学 工学部
-
早川 尚夫
名古屋大
関連論文
- 同じ幅のブランチラインを有する偏波分離器(マイクロ波,ミリ波)
- 招待講演 JST and MEXT SFQ device projects: for new innovation of SFQ electronics (超伝導エレクトロニクス)
- パイプライン化したビットシリアル単一磁束量子マイクロプロセッサの開発(ディジタル・一般)
- 単一磁束量子を用いた情報処理回路
- Nbアドバンストプロセスを用いた単一磁束量子浮動小数点演算器の設計(ディジタル,一般)
- SFQ半精度浮動小数点乗算器の設計と試作(デジタル,一般)
- ラマン分光法を用いたCaN/Siの残留歪みの評価に関する研究
- QOSにおけるグレーゾーンの解析(ディジタル,一般)
- SFQ半精度浮動小数点加算器の設計と試作(デジタル,一般)
- C-8-10 SFQ浮動小数点乗算器の同期化および動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-9 アドバンスドプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点加算器の高速化に関する検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- CT-1-9 超伝導単一磁束量子回路(CT-1.CMOSを越える革新デバイスの現状と展望,チュートリアル講演,ソサイエティ企画)
- Nb/AlO_x/Nbジョセフソン接合の高臨界電流密度化に向けた研究(エレクトロニクス)
- バイアス電源の高電圧化による単一磁束量子回路の高速化の検討 (超伝導エレクトロニクス)
- プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製(接合及び材料,一般)
- C-8-13 Nb多層プロセスを用いて試作したシフトレジスタの測定評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-7 超伝導SFQ回路のための新Nb多層プロセス(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- Melt-Casting法によって作製したBi2212バルク超伝導体の導電特性に対する他元素添加効果
- 風力発電用小型ロータの作製を通したものづくり教育
- 低温焼結Li添加Bi2212超伝導体への他元素添加効果に関する研究
- マイクロ波照射によるLi添加Bi2212超伝導体の短時間合成
- In_xGa_Nの光学フォノンモードの組成依存性に関する研究
- GaAs系二重量子井戸構造におけるPLスペクトルの電界依存特性
- フォトルミネッセンスによるInGaAsPの非混和性に関する研究
- 家庭用電子レンジを用いたBJ2212超電導体の合成と水分添加効果
- ラマン散乱によるInGaNの成長不安定性に関する研究
- Li及びCl添加による低温焼結Bi2212超伝導体の導電特性改善
- Nb多層デバイス構造用セルライブラリに向けた最適なモート構造の検討(単一磁束量子大規模集積回路技術の現状と将来展望、デジタル応用及び一般)
- 小型中性子回折装置に向けたSFQ回路開発(ディジタル,一般)
- アモルファス半導体障壁層を用いたMgB_2ジョセフソン接合の評価(接合及び材料,一般)
- 集中定数型超電導チューナブルフィルタのためのC素子の検討
- C-8-16 集中定数型超伝導メカニカルチューナブルフィルタの検討
- フローティングプレート材質が超電導メカニカルフィルタのチューニング特性に及ぼす効果
- 超伝導マイクロ波フィルタの共振周波数のメカニカルチューニング
- C-8-5 単一磁束量子 2×2 Cross/Bar スイッチの 57GHz 動作
- C-8-4 SFQ論理回路におけるデジタルシミュレーションの計算精度の評価
- C-8-14 タイムシフトスピードアップバッファ用シフトレジスタの設計の試作
- C-8-4 SFQネットワークスイッチ要素回路の55GHz動作実証
- 超電導技術は進歩している
- 単一磁束量子回路による超高速信号処理(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 単一磁束量子を用いた情報処理回路
- C-8-6 10kA/cm^2Nbプロセス用単一磁束量子セルライブラリの構築(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-7 単一磁束量子回路を用いた2並列3段の再構成可能なデータパスの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- CT-1-3 SFQによる量子ビットの制御と観測(CT-1.超伝導量子コンピュータ研究の最前線,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- C-8-8 アドバンストプロセス2における4x4SFQスイッチ回路の動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-9 A^*アルゴリズムに基づく単一磁束量子回路受動線路配線ツールの実装と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-10 2並列4段の再構成可能なデータパスを有する単一磁束量子回路の検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-11 SFQ半精度浮動小数点演算器の回路面積の削減に関する検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-12 SFQ半精度浮動小数点乗算器の試作と動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 超伝導回路による超高速・低消費電力マイクロプロセッサの開発
- C-8-21 単一磁束量子回路における2並列2段の再構成可能なデータパスの動作実証(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-18 SFQ半精度浮動小数点乗算器の設計と試作(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-16 アドバンストプロセス2.1を用いた2並列2段のSFQ-RDPの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-15 10kA/cm^2Nbアドバンスドプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点乗算器の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-5 10kA/cm^2Nbプロセスを用いたSFQ半精度浮動小数点加算器のコンポーネント回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-10 Nb8層プロセスを用いた受動線路の設計と回路応用(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-8 プラズマ窒化AIN障壁層を持つNbN接合の障壁層形成法による特性比較(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-4 アドバンストプロセス2を用いた単一磁束量子回路によるALUの設計と評価(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-3 アドバンストプロセス2におけるバイアス電流供給法が回路動作に与える影響(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 四端子対回路網の縦続行列と散乱行列に関する考察
- C-8-9 4x4単一磁束量子クロスバスイッチの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-8 単一磁束量子タイムシフト入力型2x2スイッチの設計と動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- 単一磁束量子論理回路スイッチICの性能評価(デバイス・一般)
- C-8-10 単一磁束量子スローダウンバッファの設計
- Melt-Casting法を用いたBi系超伝導体の作製と特性評価
- C-8-11 パイプライン導入による単一磁束量子浮動小数点加算器の性能向上(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-15 トルネードアーキテクチャに基づく単一磁束量子マイクロプロセッサのALUの改善(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-12 トルネードアーキテクチャにおけるSFQマイクロプロセッサのデータパスの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-10 トルネードアーキテクチャにおけるSFQマイクロプロセッサのデータパスの設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-11 単一磁束量子回路を用いた状態遷移に基づくシリアルアダーの検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,エレクトロニクス2)
- C-8-6 単一磁束量子回路を用いた状態遷移に基づく演算方式の検討(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- C-8-5 SFQマイクロプロセッサに向けたレジスタファイルの実証(C-8. 超伝導エレクトロニクス, エレクトロニクス2)
- 単一磁束量子回路によるマイクロプロセッサの設計と動作実証(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
- SC-8-11 単一磁束量子マイクロプロセッサの開発(SC-8.超伝導SFQ回路技術の最近の進展)
- C-8-12 SFQマイクロプロセッサに向けたトルネードアーキテクチャの提案(C-8.超伝導エレクトロニクス)
- C-8-15 パイプライン化した単一磁束量子ビットシリアルマイクロプロセッサCORE1βの動作実証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-13 単一磁束量子シフトレジスタ型キャッシュメモリの改良(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-1 単一磁束量子回路におけるモート形状の検討(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- バイアス電流と外部磁場が超伝導体の電圧状態に及ぼす影響
- 超伝導Flux Flow Transistorの動作特性に及ぼす表面ポテンシャルの影響 : 数値解析によるFFTの電圧電流特性に見られる非線形性の考察
- エリプソメトリによる薄膜定数測定の一考察
- 同じ幅のブランチラインを有する偏波分離器
- 分布結合方式3dBカプラの広帯域化
- 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- 共鳴トンネル素子を用いた極短パルス生成器とそのAlNセラミック基板上アンテナとの集積化(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- C-2-56 二次元伝送平面の等価回路に基づいた数値解析(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 家庭用電子レンジを用いた酸化物超伝導体の合成
- ビスマス系超伝導体の交流輸送特性
- 窒化物三元混晶半導体InGaNの非混和性に関する研究
- 四元混晶半導体InGaAsPの非混和性に関する研究
- (10)電子シラバス提出・公開システムの開発と運用について(第3セッション 教育システム(III))
- CIPを用いたBi系バルク超伝導体の特性改善
- Influence of microscopic crystallinity in InGaAsP caused by the difference of crystal growth methods
- C-2-71 左手系伝送線路の単位セルを持つλ/4伝送線路に関する研究(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- Bi2212単結晶の超伝導特性
- 対向電極スパッタ法によるYBa2Cu3Cx薄膜の成膜
- 酸化物高温超伝導体を伝わる超音波の速度および吸収に関する研究
- 半導体デバイスの熱抵抗評価手法に関する検討
- 自律移動型ロボットの自己位置推定に関する研究