対向電極スパッタ法によるYBa2Cu3Cx薄膜の成膜

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概要

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• The thickness of YBa2Cu3Ox film deposited when Vr (voltage applied to the target on the right side) and Vl (voltage applied to the target on the left side) are out of phase is uniform in comparison with the thickness of YBa2Cu3Ox film deposited when Vr and Vl are in phase. This result suggests that there is a possibility of large YBa2Cu3Ox films being deposited with controlling the phase of RF-voltage applied to facing targets. In this paper, we will report YBa2Cu3Ox filim deposition by this unique sputtering method with facing targets.

• 豊田工業高等専門学校の論文
• 1993-12-01

著者

• 安藤 浩哉

  豊田工業高等専門学校

• 杉浦 藤虎

  豊田工業高等専門学校

• 塚本 武彦

  豊田工業高等専門学校

• 塚本 武彦

  豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科

• 長谷 亘康

  豊田工業高等専門学校電気工学

• 杉浦 藤虎

  豊田工業高等専門学校電気・電子システム工学科

• 長谷 亘康

  豊田高専

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