プラズマ窒化AlNx障壁層を持つNbNトンネル接合の電気的特性(超伝導エレクトロニクス基盤技術及び一般)
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概要
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本誌では、NbNトンネル接合におけるプラズマ窒化AlNx障壁層の形成プロセス及びその電気的特性について述べる。我々はこのプラズマ窒化AlNx障壁層を持ったNbNトンネル接合の電磁波検出器(SISミキサ、直接検出器)応用を目標としている。そこで、検出器応用に必要な特性を満たすため、障壁層形成メカニズムを解明することが重要であると考えている。本研究では、AlNx障壁層形成メカニズムの解明のため、異なる2種類のプラズマ窒化法を用いてAlNx障壁層を形成し接合特性の比較を行った。窒素ラジカルと窒素原子で窒化を行うラジカル窒化法では、サブギャップリーク電流の少ない電流-電圧特性を示し、臨界電流密度J_cや品質パラメータR_<sg>/R_nは、それぞれ最大で、8kA/cm^2及び43の値が得られた。窒素イオンも窒化に寄与するRFバイアス法では、サブギャップリーク電流のやや多い電流-電圧特性を示し、J_c及びR_<sg>/R_nは、32kA/cm^2、11の値が得られた。
- 2010-10-12
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
内藤 直生人
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
丸山 千風
名古屋大学
-
内藤 直生人
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
藤巻 朗
名古屋大学量子工学専攻
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
船井 辰則
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
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