Nb/AlOx/Nb技術を用いたOverdamp型NbNジョセフソン接合
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概要
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我々は, 障壁層に信頼性の高いNb/AlOx/Nb技術を応用することによって, Overdamp型NbN/Nb/AlOx/Nb/NbN接合を作製した.この接合は現在までのところJcは10Kにおいて最高で0.44KA/cm^2, IcR積は0.16mVであった.また, 4.2Kにおける接合の諸特性を上下のNb層の膜厚依存性の観点から考察を行った.このとき, 接合のJcは上下Nb層の膜厚を20nmから0nmに減少させるに従い, 0.28kA/cm^2から4.1kA/cm^2に増加した.さらに, Icの温度依存性はNb層の膜厚を薄くするにつれて, 指数関数的に減少する特性から準直線的に減少する特性へと変化した.これらの接合の諸特性は, 接合内の各層が超伝導層-常伝導層-絶縁層-常伝導層-超伝導層として作用するためと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-16
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
-
早川 尚夫
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大
-
岩井 孝夫
名古屋大学工学研究科
-
青山 孝
名古屋大学工学研究科
-
桶 隆太郎
名古屋大学工学研究科
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