磁性ナノ粒子薄膜を形成したSQUIDの閾値特性と共振ステップ(超伝導エレクトロニクス基盤技術,一般)
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概要
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本誌では、磁性ナノ粒子膜を形成したSQUIDのインダクタンス変化のナノ粒子膜厚依存性及び共振ステップについて述べる。磁性ナノ粒子膜は、平均粒径5nmのFe_3O_4磁性ナノ粒子溶液の溶媒を蒸発させることにより形成した。SQUID は、インダクタンス評価用としてワッシャー型を、共振ステップ評価用として縦型を用いた。磁性ナノ粒子膜の膜厚効果を調べたところ、膜厚に比例するインダクタンスの増加があり、最大で19.7%の増加率を得た。また、共振ステップの変化を調べたところ、SQUIDのLC積(SQUIDインダクタンスL、SQUID等価接合容量C)が最大163%増加していることが分かった。
- 2012-10-18
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
藤 巻朗
名古屋大学 工学部
-
藤巻 朗
名古屋大 大学院
-
藤巻 朗
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
奥村 崇之
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
伊藤 大
名古屋大学大学院量子工学専攻
-
谷口 壮耶
名古屋大学大学院量子工学専攻
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