FINP法を用いた高品質微小ジョセフソン接合の作製
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概要
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我々は、上部電極形成のために集束イオンビーム(FIB)を用いたNbの微細加工(FINP)法を用いて、臨界電流Ic=10μAを持つ高品質0.1μm^2Nb/AlOx/Nb接合を作製することに成功した。これらの接合は、上部電極に緩衝層を入れることにより得られた。緩衝層がない接合では、リーク的な特性がよく観測された。それは、打ち込まれたイオンが、トンネル障壁にダメージを与えていることを示している。一方、緩衝層を用いた場合には、再現性良く高品質な接合を得ることができた。この結果は、緩衝層が、照射されたイオンのトンネル障壁へのダメージを軽減していることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-26
著者
-
藤巻 朗
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学大学院工学研究科
-
古田 太
日立中央研究所
-
早川 尚夫
名古屋大学工学研究科
-
早川 尚夫
名古屋大学
-
赤池 宏之
名古屋大学
-
早川 尚夫
名古屋大
-
古田 太
名古屋大学大学院工学研究科量子工学専攻
-
永井 伸佳
名古屋大学工学部電子工学科
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