LiMn_2O_4薄膜の電池特性の改善(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
RFマグネトロンスパッタリング法により,Li二次電池正極用のLiMn_2O_4薄膜を生成している.本研究では様々な条件下でLiMn_2O_4薄膜を生成し,これらの薄膜の充放電特性を測定した.その結果いくつかの薄膜で良好な充放電曲線と電圧を得ることが出来たが,充放電効率が悪く,薄膜の容量は理論値の約半分であった.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-05-09
著者
関連論文
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ポーラスシリコン層のSEM観察
- 液体状態のホール効果測定と磁界による不要信号
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成へのドーナツ円板の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 粘土ベントナイトとの複合化によるフラビリウム色素の安定化
- 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 白金担持TiO2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 白金担持TiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のステップアニール効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製とその評価
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成条件の調査(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜生成への石英円筒の効果(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga2O3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜のPL発光特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の結晶特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるTiO_2薄膜の生成と光触媒特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- 青色発光EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の生成(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の作製と評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- ステップアニールによる青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-6-9 Mn反応性蒸着過程のるつぼと基板間の距離依存性
- C-6-4 Mn反応性蒸着過程でのるつぼ付近の組成変化
- C-6-12 スピネル構造Mn酸化物薄膜における反応性蒸着の再現性
- 反応性蒸着過程における Mn 酸化物薄膜組成のその場制御
- Li2次電池用Mn酸化物薄膜の生成
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- 反応性蒸着過程におけるMn蒸発物の酸化防止策
- Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3薄膜の作製と酸素センサ特性の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- RFマグネトロンスパッタリング法によるβ-Ga_2O_3薄膜の生成(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 粘土層間への取り込みによるフラビリウム色素の安定化
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の急速アニール効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- Li二次電池用Mn酸化物薄膜の作製と評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 青色EL素子用SrS:Cu薄膜の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- TiO_2薄膜への安定した白金担持と光触媒特性(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 石英アンプルによるLi二次電池用Mn_3O_4薄膜の生成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- スパッタリング法によるLiMn_2O_4薄膜の生成と評価(光材料・デバイス,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- LiMn_2O_4薄膜の電池特性の改善(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- LiMn_2O_4薄膜の電池特性の改善(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- LiMn_2O_4薄膜の電池特性の改善(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))