ReRAMの多重書き込み自動回避回路を用いた消費電力削減技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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近年,抵抗変化型メモリReRAM(Resistance Random Access Memory)は次世代型メモリとして大きく期待されており,さらなる性能向上に関する研究が続けられているが,その中でも低消費電力であることはReRAMの大きな利点である.一方で,本研究で着眼した低抵抗状態の素子に対するSET動作や,高抵抗状態の素子に対するRESET動作といった多重書き込みは,消費電力の増加をもたらすだけでなく,ReRAM素子への無駄なエネルギーの印加による書き換え回数の低下を招く.そこで本稿では,既存のセンスアンプ回路を改善した,多重書き込み自動回避機能を付加した新規回路の提案及びシミュレーションによるエネルギー削減率の算出を行った.これらの結果から,提案回路による多重書き込み動作の自動回避及びそれに伴う無駄なエネルギー削減を実現した.
- 2011-08-18
著者
-
中山 和也
金沢大学医学部
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
秋田 純一
はこだて未来大学システム情報科学部
-
中山 和也
金沢大学 保健科医用放射線科
-
秋田 純一
金沢大学大学院自然科学研究科
-
北川 章夫
金沢大学
-
北川 章夫
金沢大学大学院
-
中山 和也
医学部保健学科
-
秋田 純一
金沢大学
-
中山 和也
金沢大学大学院医学系研究科
-
半田 貴也
金沢大学大学院自然科学研究科
-
北川 章夫
金沢大
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