8.次世代半導体メモリ : PRAMの例(<特集>大容量化が進むストレージ技術)
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概要
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アモルファス-結晶相転移や金属-絶縁体転移に伴う抵抗率変化を利用したメモリが次世代不揮発性メモリとして注目されている.これらのメモリは,集積回路の任意の配線層にメモリ材料を挿入しただけの簡単なセル構造により実現される.このため,既存メモリの微細化限界を乗り越え,混載メモリの大容量化を推進する手段として期待が大きい.特に,アモルファス-結晶相転移を用いた相転移メモリにおける材料開発及びメモリセルアレー形成技術の最近の動向と今後の展望を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-01
著者
-
中山 和也
金沢大学医学部
-
高田 雅史
金沢大学大学院・自然科学研究科
-
北川 章夫
金沢大学大学院自然科学研究科電子情報科学専攻
-
中山 和也
金沢大学大学院医学系研究科保健学専攻
-
高田 雅史
金沢大学工学部
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
中山 和也
金沢大学 保健科医用放射線科
-
北川 章夫
金沢大学
-
北川 章夫
金沢大学大学院
-
中山 和也
医学部保健学科
-
中山 和也
金沢大学大学院医学系研究科
-
北川 章夫
金沢大
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