相変化メモリを利用した不揮発性SRAM(新型不揮発性メモリ)
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概要
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SRAMと相変化不揮発性メモリ(PRAM)を組み合わせた新しい回路方式(Phase change Nonvolatile SRAM, 以下PNSRAM)を提案する. PNSRAMはSRAMセルに1T2Rを追加することにより, 不揮発性を組み込んだ. この回路を0.18μm-CMOSプロセスを用いて設計し, SPICEシミュレーションにより, 揮発, 不揮発共に読み書き動作確認を行った. 電源電圧1Vでアクセスタイム1.36nsであり, SRAMに対し0.5s後には消費電力において有利であるという性能を見積もることが出来た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-03-04
著者
-
中山 和也
金沢大学医学部
-
新村 達
金沢大学
-
高田 雅史
金沢大学 工学部 情報システム工学科
-
中山 和也
金沢大学 医学部 保健学科
-
泉 貴富
金沢大学 工学部 情報システム工学科
-
新村 達
金沢大学 工学部 情報システム工学科
-
北川 章夫
金沢大学 工学部 情報システム工学科
-
泉 貴富
金沢大学工学部
-
高田 雅史
金沢大学工学部
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
中山 和也
金沢大学 保健科医用放射線科
-
北川 章夫
金沢大学
-
中山 和也
医学部保健学科
-
北川 章夫
金沢大
-
泉 貴富
金沢大学 工学部
-
高田 雅史
金沢大学 工学部
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