カルコゲナイド半導体を用いた相変化型不揮発性メモリの検討 (<特集>「VLSI一般」)
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概要
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コンピュータやマルチメディアシステムの発達にともない、高速、大容量で安価な不揮発性メモリの需要がたかまっている。ある種のカルコゲナイド半導体は、高抵抗なアモルファス状態と低抵抗な結晶状態の2つの安定な状態を持っており、これらの状態な、電気的パルスによって遷移させることが可能である。このような可逆的な相変化を利用すればメモリ素子として利用可能である。本論文では、テルルを主成分としたカルコゲナイド半導体を用いたメモリ素子の特性について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-18
著者
-
中山 和也
金沢大学医学部
-
小島 一彦
金沢大学医学部保健学科
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
笠井 稔彦
金沢大学工学部
-
福島 早奈恵
金沢大学大学院自然科学研究科
-
福島 早奈恵
金沢大学工学部
-
今井 豊
金沢大学工学部
-
鈴木 正國
金沢大学工学部
-
中山 和也
金沢大学 保健科医用放射線科
-
北川 章夫
金沢大学
-
中山 和也
医学部保健学科
-
北川 章夫
金沢大
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