Poly-Siの高温アニールによる欠陥密度に対する効果
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概要
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ガス炎を用いた高温アニールの効果によっておこるPoly-SiのSecondary graingrowth を電子スピン共鳴(ESR)と透過型電子顕微鏡(TEM)によって調べた。TEMの写真から、アニールした試料は温度が高いほど顕著なSecondary grain growthが起こることが分かった。アニール温度が1360℃の場合には1μm以上のサイズの結晶粒が成長した。このときESRの信号も減少している。今回、ESRスピン密度とTEMの写真から得られる結晶粒径との結果の関係を議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
柿本 芳雄
金沢大学工学部
-
鈴木 正國
金沢大学工学部
-
曲 偉峰
金沢大学工学部 電気情報工学科
-
正木 裕一
金沢大学工学部電気情報工学科
-
久下沼 信
金沢大学工学部電気・情報工学科
-
久下沼 信
金沢大学工学部
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