電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路(次世代メモリシステム,集積回路とアーキテクチャの協創〜新しいアプリケーション創造に向けたアーキテクチャ、回路技術の貢献〜)
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概要
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ReRAMの多値化に向け,既存の電圧センスアンプを利用した読み出し回路を提案する ReRAM素子のビット線とグランドの間に直列抵抗を挿入し,直列抵抗に加わる電圧とリファレンス電圧を比較する. この回路方試では,複数のセンスアンプとリファレンス電圧を用いることにより, ReRAMに多値記録された抵抗を1サイクルで読み出すことが可能となる,また,書き込み動作において,読み出した結果を用いて多重書き込みを自動で回避し,無駄なエネルギーを削減することも出来る.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-24
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