相変化メモリを利用した不揮発性SRAM
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概要
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SRAMと相変化不揮発性メモリ(PRAM)を組み合わせた新しい回路方式(Phase change Nonvolatile SRAM, 以下PNSRAM)を提案する.PNSRAMはSRAMセルにMRを追加することにより, 不揮発性を組み込んだ.これによりSRAMの待機電力消費を無くすことが出来る.この回路を0.18μm-CMOSプロセスを用いて設計を行い, SPICEシミュレーションにより, 揮発, 不揮発共に読み書き動作確認を行った.消費電力については, 読み書き動作に関しては従来SRAMとほぼ同じである.また, 揮発読み出し特性のシミュレーションを行ったところ, 電源電圧1 Vでアクセスタイム1.36nsという結果が得られた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
-
中山 和也
金沢大学医学部
-
新村 達
金沢大学
-
高田 雅史
金沢大学工学部
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
泉 高富
金沢大学工学部情報システム工学科
-
新村 達
金沢大学工学部情報システム工学科
-
中山 和也
金沢大学 保健科医用放射線科
-
北川 章夫
金沢大学
-
中山 和也
医学部保健学科
-
北川 章夫
金沢大
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