C-12-25 完全ディジタル方式マイクロチップディスプレイ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-03-03
著者
関連論文
- 8.次世代半導体メモリ : PRAMの例(大容量化が進むストレージ技術)
- 相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究(新メモリ技術とシステムLSI)
- 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計(FPGAとその応用及び一般)
- 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計
- 相変化メモリを利用した不揮発性SRAM(新型不揮発性メモリ)
- 相変化メモリを利用した不揮発性SRAM
- 相変化不揮発性メモリの多値記録方式と回路構成
- 多値相変化メモリの書換特性評価回路の設計(新型不揮発性メモリー)
- A-1-15 相変化メモリにおける多値化の実現手法と回路設計(A-1. 回路とシステム)
- C-12-53 相変化不揮発性メモリセルの設計と特性評価
- カルコゲナイド半導体を用いた相変化型不揮発性メモリの検討 (「VLSI一般」)
- Fragmentation modelによる非晶質固体の相転移
- C-12-20 誘導性負荷による同期式回路のクロック線における消費電力低減手法の検討
- 卒業研究達成度評価の実施
- (59)卒業研究達成度評価実施例(第16セッション 教育評価・自己点検・評価システム(I))
- 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計
- 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計(FPGAとその応用及び一般)
- 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計(FPGAとその応用及び一般)
- 相変化不揮発性メモリの多値記憶方式と回路設計(FPGAとその応用及び一般)
- DoPed oxideによるPoly-Si薄膜への不純物ドーピングと素子への応用
- SA-2-1 ビデオ画像の画素単位でのリアルタイム色抽出処理回路の設計
- 平面配置オートマトンによる矩形領域検出回路
- LB/金属膜複合構造の電気的特性
- ガス炎を用いた高温アニールによる多結晶シリコン薄膜の電気的特性及び構造
- Poly-Siの高温アニールによる欠陥密度に対する効果
- Poly-Siの高温アニール効果 : S.G.G
- 急速加熱されるa-Siの過渡的状態図
- poly-Siのガス炎高温アニールによるSecondary grain growth
- C-12-32 ワイヤレストイチップの開発
- C-12-25 完全ディジタル方式マイクロチップディスプレイ
- 生体モニタリング向けパッシブ型センサタグの要素回路(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- 疑似的な不規則画素配置をもつ方向特異性のない撮像・表示素子構成の基礎検討(画像の処理と符号化)
- C-12-28 光通信用 1 チップ受信回路における光検出部の開発
- C-11-9 CMOSチップ上のPD特性TEGの試作と評価
- 卒業研究達成度評価の実施
- A-1-7 微分量子セルの設計と量子コンピューティングへの応用
- ピンホールによる分光を利用したスペクトラム分析イメージセンサ(高機能イメージセンシングとその応用)
- アセンブリレベル合成法
- 半導体を使わない歪トンネリングデバイスの提案
- ReRAMの多重書き込み自動回避回路を用いた消費電力削減技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ReRAMの多重書き込み自動回避回路を用いた消費電力削減技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- センスアンプを用いたReRAMの書き込み抵抗の制御と多値記録への応用
- C-12-37 ReRAMの抵抗制御書き込み回路の設計と評価(半導体メモリ,C-12. 集積回路,一般セッション)
- 電圧センスアンプを用いたReRAMの多値化のための読み出し・書き込み回路(次世代メモリシステム,集積回路とアーキテクチャの協創〜新しいアプリケーション創造に向けたアーキテクチャ、回路技術の貢献〜)