相変化メモリを利用した不揮発性SRAMアーキテクチャの研究(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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SRAMと相変化RAM(PRAM)を組み合わせた新しい回路方式(Phase change Nonvolatile SRAM,以下PNSRAM)を提案し,主に書き込み動作において,速度・回数・消費電力の3点に対して双方の欠点を改善した.本メモリは従来のSRAMセルに1T2Rの付加回路(14%のオーバーヘッド)によって実現される.本回路を0.18μm CMOSプロセスを用いて設計し,回路検証を行い,揮発,不揮発共に読み書き動作確認を行った.また,相変化素子シミュレーションモデルを開発し,適用した.テクノロジノード22nmにおいて,SRAMに対し15.2us後には消費電力において有利であるという見積もりを得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-06
著者
-
秋田 純一
金沢大学 大学院 自然科学研究科
-
中山 和也
金沢大学医学部
-
新村 達
金沢大学
-
高田 雅史
金沢大学 工学部 情報システム工学科
-
中山 和也
金沢大学 医学部 保健学科
-
泉 貴富
金沢大学 工学部 情報システム工学科
-
新村 達
金沢大学 工学部 情報システム工学科
-
北川 章夫
金沢大学 工学部 情報システム工学科
-
泉 貴富
金沢大学工学部
-
高田 雅史
金沢大学工学部
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
中山 和也
金沢大学 保健科医用放射線科
-
北川 章夫
金沢大学
-
中山 和也
医学部保健学科
-
北川 章夫
金沢大
-
泉 貴富
金沢大学 工学部
-
高田 雅史
金沢大学 工学部
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