相変化不揮発性メモリの多値記録方式と回路構成
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概要
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相変化不揮発性メモリ(PRAM)における新しい多値化手法と回路を提案する.記録素子材料であるカルコゲナイド半導体く例えば、材料組成としてGeSbTe)の抵抗は電流パルスを与えることにより変化させることが出来る.私たちはカルコゲナイド半導体としてSeSbTeを用いたメモリセルにおいて, その抵抗値が多段階に変化することを観測した.このことは1記録素子に複数bit記録できることを意味している.この観測結果を用いて2bitを記録するメモリセルを仮定し, 0.35μm-CMOSプロセスにて回路を設計した.この回路より100MHzリードサイクルにおいて, 3nsec以内の読み出し速度を得た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-14
著者
-
中山 和也
金沢大学医学部
-
泉 貴富
金沢大学工学部
-
高田 雅史
金沢大学工学部
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
中山 和也
金沢大学 保健科医用放射線科
-
北川 章夫
金沢大学
-
中山 和也
医学部保健学科
-
北川 章夫
金沢大
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