ガス炎を用いた高温アニールによる多結晶シリコン薄膜の電気的特性及び構造

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概要

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ガス炎を用いた高温短時間アニールによるPoly-Si薄膜の電気的特性と構造の変化を調べ、電気伝導のメカニズムを議論する。試料の抵抗率はアニール温度が増加するにつれ低くなり、リンのドーパント濃度が6.0×10^<20>cm^<-3>でアニール温度が1350℃の時、最も低い抵抗率4.8×10^<-4>Ωcmを得た。また移動度は、ドーピング濃度が高くなるにつれて増加し、ある点から減少する。最も高い移動度は、リンのドーパント濃度が3.5×10^<19>cm^<-3>でアニール温度が1350℃の時であり71.3cm^2/V・sであった。アニール温度の増加に伴い、試料のgrain sizeは平均1.5μmまで成長し、電子スヒン密度は大幅に減少した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-12-08

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