DoPed oxideによるPoly-Si薄膜への不純物ドーピングと素子への応用
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概要
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ドープトオキサイドにより不純物ドーピングを行ったPoly-Siにガス炎加熱による高温アニールを行った.ドーピング濃度が増大すると,抵抗率や移動度,キャリア密度の変化はPoly-Siに特有の振る舞いを示した.ガス炎による高温アニールは,Poly-Siのリンおよびボロンのドーピング効率を向上させ,顕著な移動度の増大をもたらした.それは,高温アニールによって結晶粒径の増大と結晶粒界の縮小が起こり,さらに結晶粒内の欠陥密度も減少するためであると考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-12-06
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