poly-Siのガス炎高温アニールによるSecondary grain growth
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概要
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酸素を混入したガス炎を用いてSiO_2基板上のpoly-Siの高温アニールを行った。ガス炎高温アニールによって、結晶粒径が1μmを超えるまでに増大するSecondary grain growthが観測された。本方法は、大面積の高品質poly-Siを低コストで作製する方法として期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-09
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