Poly-Siの高温アニール効果 : S.G.G
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概要
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ガス炎を用いた高温アニールにより、顕著に(110)や(100)配向したPoly-Si膜のSecondary Grain Growth(S.G.G)を結晶配向の観点から研究した。高温アニールを行うことによりランダム配向や(110)配向の膜では(311)及び(110)面のX-線回折強度が増加し(111)面からの回折強度は増加した。しかし、(100)配向のPoly-Si膜では(100)の回折強度は減少し(111)が減少する場合が多く見られた。このような結果はランダム配向の膜に対して行われた従来のS.G.Gの実験結果と矛盾する部分がある。今回の実験結果に対し、結晶面の表面エネルギーをもとに議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
-
北川 章夫
金沢大学工学部
-
柿本 芳雄
金沢大学工学部
-
鈴木 正國
金沢大学工学部
-
曲 偉峰
金沢大学工学部 電気情報工学科
-
正木 裕一
金沢大学工学部電気情報工学科
-
久下沼 信
金沢大学工学部電気・情報工学科
-
久下沼 信
金沢大学工学部
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