Observation of 77 K Staircase I-V Characteristics in 2DEG's Irradiated by a Focused Ion Beam
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概要
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Staircase current-voltage (I-V) characteristics, observed at 77 K in narrow 2DEG channels irradiated by a single line scan of a focused ion beam (FIB), is reported in detail. These staircases are interpreted as evidence of single electron tunneling through a naturally occurring specific Coulomb island in the random potential fluctuations created by FIB damage. Clear comparison is made between the I-V's taken from wide channels and those from narrow channels. Based on orthodox calculations of the I-V characteristics, it is shown that highly asymmetric tunnel junctions are needed to explain our data. This is consistent with the random nature of the potential landscape in the FIB damaged region.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1995-08-30
著者
-
Hwang Sung
School Of Electrical Engineering Korea University:institute Of Quantum Information Processing And Sy
-
Hwang Sung
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
SAKAMOTO Toshitsugu
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
-
Nakamura K
Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University
-
Sakamoto Toshitugu
Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Hwang S
Department Of Electronics And Computer Engineering Korea University
-
Shiokawa Takao
Semiconductor Laboratory Riken The Institute For Physical And Chemical Research
-
Sakamoto T
Department Of Communication Engineering Faculty Of Computer Science And System Engineering Okayama P
-
NAKAMURA Kazuo
Fundamental and Environmental Research Laboratories, NEC
-
LEZEC Henri
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
-
Lezec Henri
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation:micrion Gmbh
-
Lezec Henri
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Sakamoto Toshitsugu
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Nakamura Kazuo
Fundamental And Environmental Research Laboratories Nec
-
HWANG Sung
Institute of Quantum Information Processing and Systems, University of Seoul:Department of Electronic Engineering, Korea University
-
Sakamoto Toshitsugu
Fundamental and Environmental Research Labs., NEC Corp., Tsukuba, Ibaraki 305-8501, Japan
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