Single Electron Digital Phase Modulator
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
It is well known that the AC voltage gain of a symmetric single electron transistor amplifier has a 180° phase shift whenever the equilibrium charge in the Coulomb island changes by e/2. Using this interesting phase shift property, we propose a single electron digital phase modulation scheme. We show that there is a trade-off between the intrinsic operating speed and the voltage gain of the modulator. We show that even though the two tunnel junctions of the modulator are not matched, there is no distortion in the output signal.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1995-01-15
著者
-
Hwang Sung
School Of Electrical Engineering Korea University:institute Of Quantum Information Processing And Sy
-
Hwang Sung
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
SAKAMOTO Toshitsugu
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
-
Nakamura K
Department Of Electrical Engineering School Of Engineering Nagoya University
-
Sakamoto Toshitugu
Faculty Of Engineering Science Osaka University
-
Hwang S
Department Of Electronics And Computer Engineering Korea University
-
Shiokawa Takao
Semiconductor Laboratory Riken The Institute For Physical And Chemical Research
-
Sakamoto T
Department Of Communication Engineering Faculty Of Computer Science And System Engineering Okayama P
-
NAKAMURA Kazuo
Fundamental and Environmental Research Laboratories, NEC
-
Sakamoto Toshitsugu
Fundamental Research Laboratories Nec Corporation
-
Nakamura Kazuo
Fundamental And Environmental Research Laboratories Nec
-
HWANG Sung
Institute of Quantum Information Processing and Systems, University of Seoul:Department of Electronic Engineering, Korea University
-
Sakamoto Toshitsugu
Fundamental and Environmental Research Labs., NEC Corp., Tsukuba, Ibaraki 305-8501, Japan
関連論文
- Plasma Absorption Probe for Measuring Electron Density in an Environment Soiled with Processing Plasmas
- Diagnostic of Surface Wave Plasma for Oxide Etching in Comparison with Inductive RF Plasma
- 液体媒質の非線形パラメータB/Aの自動測定
- High Carrier Mobility in Mesophase of a Dithienothiophene Derivative
- Organic Field-effect Transistors Based on Solution-processible Dibenzotetrathiafulvalene Derivatives
- (Tetrathiafulvalene)(tetracyanoquinodimethane) as a Contact Material for n-Channel and Ambipolar Organic Transistors
- Lowering Threshold by Energy Transfer between Two Dyes in Cholesteric Liquid Crystal Distributed Feedback Lasers
- Amplification of Twisting Power in Chiral Mesophase by Introducing Achiral Rod-like Compound with Ester Group
- Flexible Microcavity Organic Light-Emitting Diodes with Wide-Band Organic Distributed Bragg Reflector
- Longer-Terminal-Chain-Sensitive Phase Structures in Mixtures and Nonsymmetric Molecules of Bent-Core Mesogens
- Ideal Liquid Crystal Display Mode Using Achiral Banana-Shaped Liquid Crystals
- Syntheses and Properties of Oligothiophenes with Cyano and Hexyl Groups
- Spontaneously Buckled Microlens for Improving Outcoupled Organic Electroluminescence
- Direct Transport Measurements through an Ensemble of INAS Self-assembled Quantum Dots
- Electrical Properties of Electron-Beam Exposed Silicon Dioxides and Their Application to Nano-devices
- 端部への物体接近による圧電屈曲振動子特性の変化 : 近接センサのための基礎的検討
- 端部への物体接近によって生じる圧電屈曲振動子特性の変化のモデル解析
- P1-C-36 端部への物体接近による屈曲振動子特性の変化とその一考察(バルク波・表面波デバイス,ポスターセッション1(概要講演))
- 屈曲振動板端部への物体接近時に見られる振動子特性の特異現象について
- 分極反転層を有する薄いLiTaO_3回転Y板におけるSH波の温度特性
- KNbO_3結晶におけるBGS表面波の伝搬特性の測定
- 温度勾配により圧電定数を傾斜させた圧電トランスデューサの特性
- 温度勾配による圧電定数の傾斜化とその等価回路による評価
- 圧電体中に形成した温度勾配による圧電定数傾斜化の試み
- A-11-14 LoTaO_3 32°-42°回転Y板上へのZnOの膜のエピタキシャル成長
- LiNbO_3回転変位アクチュエータを用いた波長可変光フィルタ
- LiNbO_3回転変位アクチュエータを用いた波長可変光フィルタ
- 重み付けIDTの導波モードを考慮したCOM等価回路
- Calixarene Electron Beam Resist for Nano-Lithography
- P2-4 分極反転層を形成したLiNbO_3トランスデューサの固体媒質への超音波放射特性(ポスターセッション2(概要講演))
- PMN-PTにおけるバルク波及び表面波の伝搬特性と電気機械結合係数(一般・材料)
- 圧電結晶・デバイスの研究に携わって
- KNbO_3板の圧電縦効果幅縦振動の電気機械結合係数について
- 分極反転層を形成したLiNbO_3トランスデューサの固体媒質への超音波放射特性
- A-11-3 SMR 型圧電薄膜共振子の温度特性改善
- A-11-2 ECR-PLD 法による KNbO_3 圧電薄膜の成長
- 分極反転層を有するLiNbO_3板を用いた広帯域超音波トランスデューサ
- 新しい圧電結晶KNbO_3の魅力
- ハーモニックメージング用LiNbO_3トランスデューサ
- A-11-12 KNbO_3結晶を用いたVHF帯超音波トランスデューサの試作
- P3-28 λ/4音響多層膜を用いたGHz帯ZnO圧電薄膜共振子(ポスターセッション3,ポスター発表)
- 励振電界を傾斜化した複合圧電材料とその無回折ビームトランスデューサへの応用
- LiTaO_3回転Y板を用いたエネルギー閉じ込め型振動ジャイロ
- OD4 LiNbO_3回転Y板を用いたエネルギー閉じ込め型振動ジャイロ(バルク波デバイス)
- LiNbO_3回転Y板を用いたエネルギー閉じ込め型振動ジャイロ
- 圧電結晶を用いたエネルギー閉じ込め型振動ジャイロ
- 圧電結晶を用いたエネルギー閉じ込め型振動ジャイロ
- 圧電結晶を用いたエネルギー閉じ込め型振動ジャイロ
- 圧電結晶を用いたエネルギー閉じ込め型振動ジャイロ
- PD2 遮蔽電極を有する3端子型ATカット水晶振動子(ポスターセッション1)
- KNbO_3薄膜/基板構造におけるSH型弾性表面波の伝搬特性
- ZnO/42°Y-X LiTaO_3におけるSH-SAW特性
- ZnO/Y-X LiNbO_3構造におけるSH-SAW伝搬特性の測定
- c軸が基板表面に平行なZnO膜の極性判別方法
- (110)ZnO/(012)LiTaO_3構造におけるSH型弾性表面波の解析
- ECR-MBE法によるLiTaO_3回転Yカット基板上へのZnO圧電膜の成長
- OD2 屈曲振動を利用した共振式超音波水位計(超音波計測)
- 屈曲振動を利用した共振式超音波水位計
- Functionally Graded Broadband Ultrasound Transducer Created by Forming an Internal Temperature Gradient : Instrumentation, Measurement, and Fabrication Technology
- A Functionally Graded Piezoelectric Material Created by an Internal Temperature Gradient : Electrical Properties of Condensed Matter
- ECR-MBE法によるIDT/LiNbO_3上へのZnO膜の成長とその圧電特性
- ECR-MBE法によるLiNbO_3基板上へのZnO薄膜のエピタキシャル成長
- 圧電定数に傾斜を持つ圧電板を用いた超音波トランスデューサの等価回路解析
- 圧電定数に傾斜を持つ圧電板を用いた超音波トランスデューサの等価回路解析
- 圧電定数に傾斜を持つ圧電板を用いた超音波トランスデューサの等価回路解析
- 圧電定数に傾斜を持つ圧電板を用いた超音波トランスデューサの等価回路解析
- 分極反転層を利用したハーモニックイメージング用高周波超音波トランスデューサ
- PE06 非線形第2高調波を受波できる超音波集束ガウス音源(ポスターセッションI)
- 分極反転LiNbO_3結晶を用いた超音波トランスデューサの試作
- LiNbO3結晶の分極反転層を用いた超音波トランスデューサの特性解析
- 非線形第2高調波を受波できる超音波集束ガウス音源
- Space- and Time-Resolved Measurements of Negative Ions in a Pulsed Inductively-Coupled Plasma in Chlorine
- A New Technology for Negative Ion Detection and the Rapid Electron Cooling in a Pulsed High-Density Etching Plasma
- LiNbO_336゜回転Y板を使用した厚み縦モード3次高調波振動子
- 複合圧電材を用いた面積重み付けコニカル形超音波トランスジューサ
- PF1 分割励振重み付けによる無回折型コニカル超音波トランスジューサの特性(ポスターセッション4-概要講演・展示)
- 励振面積により重み付けした無回折型コニカル超音波トランスジューサ
- 重み付け分割コニカル形 長距離集束超音波トランスジューサの試作
- PA-37 重み付け分割コニカル形トランスジューサの理論的検討(P.ポスターセッションA-概要講演・展示)
- Holding Mechanism Using a Resonance System for a High-Power Ultrasonic Linear Motor
- Waveforms of the Vibration Velocity and the Current of a Piezoelectric Transducer in the Transient State
- An Analysis of Jumping and Dropping Phenomena of Piezoelectric Transducers using the Electrical Equivalent Circuit Constants at High Vibration Amplitude Levels
- Effects of Vibration Stress and Temperature on the Characteristics of Piezoelectric Ceramics under High Vibration Amplitude Levels Measured by Electrical Transient Responses
- A Low-Wear Driving Method of Ultrasonic Motors
- Effects of a Series Capacitor on the Energy Consumption in Piezoelectric Transducers at High Vibration Amplitude Level
- Characteristics of Ultrasonic Motors Driven in a Vacuum
- ホッピング超音波モ-タの基礎特性
- Energy Storage Characteristics of a Piezo-Generator using Impact Induced Vibration
- Efficiency Improvement of an Ultrasonic Motor Driven with Rectangular Waveform
- Relativistic Entanglements of Spin 1/2 Particles with General Momentum(Condensed Matter and Statistical Physics)
- Nano-Structure Fabrication and Manipulation by the Cantilever Oscillation of an Atomic Force Microscope
- Multiple-Valued Memory Operation Using a Single-Electron Device : a Proposal and an Experimental Demonstration of a Ten-Valued Operation
- Observation of 77 K Staircase I-V Characteristics in 2DEG's Irradiated by a Focused Ion Beam
- Single Electron Digital Phase Modulator
- Study of Josephson-Quasiparticle Cycles in Superconducting Single-Electron Transistors
- Single-Electron Memory Fabricated from Doped Silicon-on-Insulator Film
- Hot Electron Transport in Si-MOSFETs
- Transport Properties in Sub-10-nm-gate EJ-MOSFETs
- Fabrication and Characterization of 14-nm-Gate-Length EJ-MOSFETs
- Proposal of Pseudo Source and Drain MOSFETs for Evaluating 10-nm Gate MOSFETs