シリコンのトライボケミカルナノ加工 : 放電とトライボケミカル反応の比較(トライボロジ, 一般)
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概要
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原子間力顕微鏡を用いたシリコンのトライボケミカルナノ加工としてダイヤモンドチップの摩擦により溝と隆起を形成した。KOH溶液によるエッチングでは加工部はエッチングされない。さらにダイヤモンドチップの加工時に電圧を加えた場合すなわち放電現象による加工法と形状、電気特性を比較検討した。
- 2003-10-10
著者
-
三宅 正二郎
日本工業大学 工学部
-
金 鍾得
アルバック・ファイ(株)
-
三宅 正二郎
日本工業大学 工学部システム工学科
-
金 鍾得
日本工業大学大学院 工学研究科
-
三宅 正二郎
日本工業大学
-
金 鍾得
日本工業大学
-
鄭 海峰
日本工業大学システム工学部
-
金 鐘得
日本工業大学工学部
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