基板電圧バックバイアス状態での低電圧テストにおける短絡欠陥検出能力の評価(テスト手法, <小特集>LSIのテスト・診断技術論文)
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概要
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半導体の製造プロセスが微細化し, トランジスタ回路の電源電圧やしきい値電圧が低下しており, 配線の短絡欠陥等の検出はますます困難となっている. それゆえ, IDDQテストに代表される短絡欠陥テスト手法の能力と限界を明確化にすることが求められている. 本論文では, 基板電圧バックバイアス状態での低電圧テストの評価を行い, IDDQテストで検出しきれない欠陥に対しての検出効果を確認した. またゲート幅が小さいトランジスタで構成される回路に対してはIDDQテストより検出能力が高い場合があることを示した. このテストはIDDQテストに見られるような歩留りロスがないことから, IDDQテストを補完するテストとして有効である.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-01
著者
-
岩崎 一彦
東京都立大学大学院工学研究科
-
河野 正樹
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
山崎 巌
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
佐藤 康夫
(株)日立製作所
-
浜本 正人
(株)日立製作所
-
佐藤 康夫
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部:東京都立大学大学院工学研究科:(現)(株)半導体理工学研究センター
-
池田 聡雄
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
浜本 正人
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
山崎 巌
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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