K-1814 積層型加熱炉によるシリコンウエハの熱処理に関する基礎的検討(G06-4 熱工学(4) : 熱伝導)(G06 熱工学部門一般講演)
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概要
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In the heat treatment of silicon wafer, temperature control of the wafer surface is very important. This paper investigates the rapid radiative heating characteristics of the silicon wafers arranged in a row in the vertical heating furnace by the experiment and the numerical simulation. In present test, a wafer pitch was changed from 54 mm to 216 mm. The results showed that the maximum difference of surface temperature decreased with increase of a pitch of the silicon wafer. The maximum temperature difference was about 5℃, when a wafer pitch was 108mm and ramp-up ratio was 150℃/min. Simulation and experimental result agreed very well.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-08-22
著者
-
菊田 和重
北大
-
大野 健治
日立国際電気
-
菱沼 孝夫
E&e研究所
-
池田 純一
北大工
-
近久 武美
北大工
-
菊田 和重
北大工
-
菊田 和重
長岡技術科学大学大学院
-
佐々木 隆史
北大院
-
菱沼 孝夫
北大工
-
宮田 敏光
日立国際電気
-
菱沼 孝夫
北海道大学
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