淀 徳男 | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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概要
関連著者
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淀 徳男
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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淀 徳男
大阪工大 工
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淀 徳男
大阪工業大学
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Yodo Tokuo
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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TAMURA Masao
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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Tamura M
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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Saitoh T
Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technology
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Saitoh T
Ntt Basic Research Laboratories Physical Science Laboratory
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大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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Saitoh T
Semiconductor Device Group Advanced Devices Development Center Matsushita Electric Industrial Co. Lt
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SAITOH Tohru
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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Tamura Masao
Optoelectronic Research Laboratory:(present Address) Angstrom Technology Partnership
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Palmer Joyce
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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YODO Tokuo
Electronic Engineering, Osaka Institute of Technology
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Yodo Tokuo
Electric Engineering Osaka Institute Of Technology
著作論文
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 無アルカリガラス基板上多結晶GaN薄膜成長とフルカラー発光素子の最近の進歩 (特集 ディスプレイと表示材料の最新技術動向)
- Anisotropic Strain Estimated from Lattice Parameters Measured by Bond Method Using X-Ray Diffraction, in Molecular Beam Epitaxy-grown GaAs/Si(001)
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- Strain Relaxation Processes in GaAs on Si by Two Groups of Misfit Dislocations
- Growth and Characterization of GaAs/GaSe/Si Heterostructures