田川 澄人 | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

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著作論文

• ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN^+_2イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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