原田 義之 | 大阪工業大学
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概要
関連著者
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原田 義之
大阪工業大学
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淀 徳男
大阪工業大学
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淀 徳男
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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淀 徳男
大阪工大 工
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嶋田 照也
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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田本 清温
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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二口 博行
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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藤井 洋平
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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真岡 岳史
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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白石 雄起
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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平田 清隆
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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富田 博之
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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西江 紀明
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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堀部 裕明
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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岩田 圭吾
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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原田 義之
大阪工大ナノ材研
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石井 圭太
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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田川 澄人
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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西本 亮
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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日高 志郎
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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瀬川 紘史
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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平川 順一
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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中田 博保
大阪教育大学教養学科
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野口 久美子
大教大教養
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原田 義之
大工大工
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野口 久美子
大阪教育大学大学院
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中田 博保
大阪教育大学教育学部教養学科自然研究講座
-
中田 博保
大阪教育大学教育学部教養学科
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藤井 研一
阪大理学部
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大山 忠司
阪大理学部
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細川 誠
阪大理学部
-
細川 誠
阪大院理
著作論文
- 22pTR-12 オパールの合成とその光学的性質(領域5,領域1合同メタマテリアル・フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22pTR-12 オパールの合成とその光学的性質(領域5,領域1合同 メタマテリアル・フォトニック結晶,領域5,光物性)
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN^+_2イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
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- ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 光励起反絶縁性GaAs中の浅いドナーのダイナミックスII