ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN^+_2イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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ECR-MBE法の問題点として、成長薄膜にダメージを与える窒素分子イオンがECRプラズマ中で発生するため、InNの成長に大きな問題となっていた。このイオンダメージを抑制するための改善策として、基板にバイアスをかける方法、磁界を用いる方法があるが、我々はInN成長時の窒素プラズマ条件を詳細に検討し、この問題点の改善を試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
淀 徳男
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
石井 圭太
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
淀 徳男
大阪工大 工
-
淀 徳男
大阪工業大学
-
原田 義之
大阪工業大学
-
嶋田 照也
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
田川 澄人
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
西本 亮
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
日高 志郎
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
瀬川 紘史
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
平川 順一
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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