18aA04 ECRプラズマ励起MBE法によるGaAs基板上立方晶InNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
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概要
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The research on quasi-stable cubic-InN (c-InN) has been just started, so that their fundamental material properties have not been clarified yet. However, realization of higher-mobility electron device using c-InN will be expected because carriers in c-InN scatter less than those in hexagonal-InN (h-InN). We grew c-InN films on GaAs(001) substrates by ECR-plasma assisted MBE and investigated the influences of growth conditions on quality. Many unclear points (mixture of h-InN grains or/and problem of quality etc.) were left in growth process of c-InN.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2005-08-17
著者
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