Anisotropic Strain Estimated from Lattice Parameters Measured by Bond Method Using X-Ray Diffraction, in Molecular Beam Epitaxy-grown GaAs/Si(001)
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-02-15
著者
-
淀 徳男
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
淀 徳男
大阪工大 工
-
YODO Tokuo
Electronic Engineering, Osaka Institute of Technology
-
Yodo Tokuo
Electric Engineering Osaka Institute Of Technology
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