ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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概要

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InNはIII族窒化物半導体の中で最も電子の有効質量が小さく、その電子移動度やドリフト飽和速度が最も大きいことから高速電子デバイス用材料として注目されていた。また、InNは最近までそのバンドギャップエネルギーは1.9eVと考えられていたが、近年InNの結晶成長技術の向上により結晶性の良い六方晶InN単結晶が作製されるようになり、そのバンドギャップエネルギーは0.8eV以下とする報告が多くの研究機閑からなされ、近赤外域領域の発光素子材料としても見直され始めている。我々はこれまでIII-V族窒化物半導体による低価格フルカラー発光デバイス実現のためSi(111)just基板上にInN薄膜を成長させてきた。しかし、それだけではバンドギャップエネルギーおよび、キャリア濃度の正確な算出は困難である。そこで、今回我々はSapphire(0001)just基板上にInN薄膜の成長を試みた。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-10-14

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