ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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概要

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• InNはIII族窒化物半導体の中で最も電子の有効質量が小さく、その電子移動度やドリフト飽和速度が最も大きいことから高速電子デバイス用材料として注目されている。また、InNは最近までそのバンドギャップエネルギーは1.9eVと考えられていたが、近年InNの結晶成長技術の向上により結晶性の良い六方晶InN単結晶が作製されるようになり、そのバンドギャップエネルギーは0.8eV以下とする報告が多くの研究機関からなされ、近赤外域領域の発光素子材料としても見直され始めている。我々はGaAs(001)just基板上に窒化処理を行った後、InN薄膜を成長すると比較的結晶性の良い六方晶InN薄膜が作製できることを確認した。今回そのメカニズム解明と結晶性向上を目的とした種々の実験を行った。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-05-20

著者

• 淀 徳男

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 淀 徳男

  大阪工大 工

• 淀 徳男

  大阪工業大学

• 原田 義之

  大阪工業大学

• 嶋田 照也

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 田本 清温

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 二口 博行

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 藤井 洋平

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 真岡 岳史

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

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