ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響
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概要
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- 2006-09-28
著者
-
淀 徳男
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
淀 徳男
大阪工業大学
-
原田 義之
大阪工業大学
-
白石 雄起
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
平田 清隆
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
富田 博之
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
西江 紀明
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
堀部 裕明
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
-
岩田 圭吾
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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