Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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ECRプラズマ励起MBE法を用いてSi(111)基板上へGaNの成長を行い、成長プロセスの低温化を検討した。Si基板の化学エッチング法として、石坂法よりもRCA法の方がより薄膜の結晶性が改善され、アニール温度の低温化が可能であった。また、AlNバッファ層の成長温度を500℃まで下げてもその上に成長したGaNの膜質に影響ないことがわかった。窒素分子イオンによるダメージに関係した391nmの窒素プラズマ発光強度依存性の実験から、この発光強度を強めた方がより低温でGaN薄膜の結晶性が改善された。今後、低温化のプロセスで更なる膜質の向上を狙うためには、391nmの窒素プラズマ発光強度を増加させ、最適なV/III比の条件を詰める必要がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-14
著者
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