ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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概要

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常温で準安定相であるInNの立方晶構造の研究の歴史は浅く、その物性値等はまだ解明されていないが立方晶としての結晶自体の対称性が六方晶よりも高いため、バンドの異方性がなく、キャリアに対する散乱が小さく、将来の高速電子デバイス開発における優位性が期待される。本稿では、ECRプラズマアシストMBE法を用いて、GaAs(001)基板上へのInNの結晶成長を行ない、直接成長において立方晶InNの形成、および実効的なV/III比による影響を明らかとした。しかし、その結晶成長プロセスには立方晶InNの品質面や六方晶・立方晶の混在プロセスなど多くの不明瞭な点がある。我々は立方晶InNの成長過程の解明、および立方晶InNの高品質化を達成するために最適な成長条件を調べることが重要である。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-05-20

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