淀 徳男 | 大阪工大 工
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概要
関連著者
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淀 徳男
大阪工大 工
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淀 徳男
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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淀 徳男
大阪工業大学
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原田 義之
大阪工業大学
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嶋田 照也
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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田本 清温
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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二口 博行
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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藤井 洋平
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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真岡 岳史
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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高山 智行
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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山本 高裕
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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石井 圭太
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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中村 俊喜
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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香山 卓史
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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田川 澄人
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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西本 亮
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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日高 志郎
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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瀬川 紘史
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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平川 順一
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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Yodo Tokuo
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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TAMURA Masao
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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Tamura M
Univ. Tokyo Tokyo Jpn
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Saitoh T
Faculty Of Technology Tokyo University Of Agriculture And Technology
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Saitoh T
Ntt Basic Research Laboratories Physical Science Laboratory
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福山 高章
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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渕上 紘志
大阪工業大学工学部電子情報通信工学科
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Saitoh T
Semiconductor Device Group Advanced Devices Development Center Matsushita Electric Industrial Co. Lt
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SAITOH Tohru
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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Tamura Masao
Optoelectronic Research Laboratory:(present Address) Angstrom Technology Partnership
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Palmer Joyce
Optoelectronics Technology Research Laboratory
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YODO Tokuo
Electronic Engineering, Osaka Institute of Technology
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Yodo Tokuo
Electric Engineering Osaka Institute Of Technology
著作論文
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 無アルカリガラス基板上多結晶GaN薄膜成長とフルカラー発光素子の最近の進歩 (特集 ディスプレイと表示材料の最新技術動向)
- Anisotropic Strain Estimated from Lattice Parameters Measured by Bond Method Using X-Ray Diffraction, in Molecular Beam Epitaxy-grown GaAs/Si(001)
- ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 18aA04 ECRプラズマ励起MBE法によるGaAs基板上立方晶InNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
- ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Strain Relaxation Processes in GaAs on Si by Two Groups of Misfit Dislocations
- Growth and Characterization of GaAs/GaSe/Si Heterostructures