淀 徳男 | 大阪工業大学

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概要

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• 淀 徳男

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 淀 徳男

  大阪工大 工

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  大阪工業大学

• 嶋田 照也

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 田本 清温

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 二口 博行

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• 山本 高裕

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• 白石 雄起

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• 平田 清隆

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• 富田 博之

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• 西江 紀明

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 堀部 裕明

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• 岩田 圭吾

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 石井 圭太

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• 中村 俊喜

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

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• 瀬川 紘史

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

• 平川 順一

  大阪工業大学工学部電子情報通信工学科

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• 渕上 紘志

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  大阪工業大学

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著作論文

• (100)GaAs基板上CdTe薄膜の分子線エピタキシャル成長初期過程の観察
• ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN^+_2イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ECR-MBE法によるSi基板上InN薄膜成長のN_2^+イオンダメージ軽減の効果(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ECR-MBE法によるSi基板上GaN薄膜作製への窒素プラズマが及ぼす影響
• 18aA04 ECRプラズマ励起MBE法によるGaAs基板上立方晶InNのエピタキシャル成長(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
• ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長
• ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• ECR-MBE法を用いたSapphire(0001)基板上InN薄膜成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Si(111)基板へのGaNの低温化による影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 26pPSA-49 立方晶InNの近赤外領域における光学測定(領域5ポスターセッション(励起子,微粒子・ナノ結晶,その他),領域5(光物性))

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